M10 MBB, N-Type TopCon 108 kalahating cell 420W-435W black frame solar module
Ultra-high Power Generation/Ultra-high Efficiency
Pinahusay na Pagkakaaasahan
Ibaba ang LID / LETID
Mataas na Compatibility
Na-optimize na Temperatura Coefficient
Mababang Operating Temperatura
Na-optimize na Pagkasira
Natitirang Pagganap ng Mababang Ilaw
Pambihirang PID Resistance
| Cell | Mono 182*91mm |
| Bilang ng mga cell | 108(6×18) |
| Na-rate ang Pinakamataas na Power(Pmax) | 420W-435W |
| Pinakamataas na Kahusayan | 21.5-22.3% |
| Junction Box | IP68,3 diode |
| Pinakamataas na Boltahe ng System | 1000V/1500V DC |
| Operating Temperatura | -40℃～+85℃ |
| Mga konektor | MC4 |
| Dimensyon | 1722*1134*30mm |
| Blg. ng isang 20GP container | 396PCS |
| Bilang ng isang 40HQ container | 936PCS |
12-taong warranty para sa mga materyales at pagproseso;
30-taong warranty para sa dagdag na linear na power output.
* Tinitiyak ng advanced automated production lines at first-class brand raw material suppliers na mas maaasahan ang mga solar panel.
* Ang lahat ng serye ng mga solar panel ay nakapasa sa TUV, CE, CQC, ISO, UNI9177- Fire Class 1 na sertipikasyon ng kalidad.
* Advanced na Half-cells, MBB at PERC solar cell na teknolohiya, mas mataas na kahusayan ng solar panel at mga benepisyo sa ekonomiya.
* Grade A na kalidad, mas kanais-nais na presyo, 30 taon na mas mahabang buhay ng serbisyo.
Malawakang ginagamit sa residential PV system, commercial at industrial PV system, utility-scale PV system, solar energy storage system, solar water pump, home solar system, solar monitoring, solar street lights, atbp.
Ang solar energy ay isang renewable energy source na maaaring magamit upang makabuo ng kuryente sa pamamagitan ng photovoltaic (PV) cells.Ang mga photovoltaic cell ay karaniwang gawa sa silikon, isang semiconductor.Ang Silicon ay doped na may mga impurities upang lumikha ng dalawang uri ng mga semiconductor na materyales: n-type at p-type.Ang dalawang uri ng mga materyales na ito ay may magkakaibang mga katangian ng kuryente, na ginagawang angkop ang mga ito para sa iba't ibang gamit sa paggawa ng solar energy.
Sa mga n-type na PV cells, ang silicon ay na-doped ng mga impurities tulad ng phosphorus, na nag-donate ng labis na mga electron sa materyal.Ang mga electron na ito ay malayang gumagalaw sa loob ng materyal, na lumilikha ng negatibong singil.Kapag ang liwanag na enerhiya mula sa araw ay bumagsak sa isang photovoltaic cell, ito ay nasisipsip ng mga silicon atom, na lumilikha ng mga pares ng electron-hole.Ang mga pares na ito ay pinaghihiwalay ng isang electric field sa loob ng photovoltaic cell, na nagtutulak ng mga electron patungo sa n-type na layer.
Sa mga p-type na photovoltaic cells, ang silicon ay na-doped ng mga impurities tulad ng boron, na nagpapagutom sa materyal ng mga electron.Lumilikha ito ng mga positibong singil, o mga butas, na nakakagalaw sa materyal.Kapag bumagsak ang liwanag na enerhiya sa isang PV cell, lumilikha ito ng mga pares ng electron-hole, ngunit sa pagkakataong ito, itinutulak ng electric field ang mga butas patungo sa p-type na layer.
Ang pagkakaiba sa pagitan ng n-type at p-type na mga photovoltaic na cell ay kung paano dumadaloy ang dalawang uri ng mga carrier ng singil (mga electron at butas) sa loob ng cell.Sa n-type na PV cells, ang mga photogenerated na electron ay dumadaloy sa n-type na layer at kinokolekta ng mga metal contact sa likod ng cell.Sa halip, ang mga nabuong butas ay itinutulak patungo sa p-type na layer at dumadaloy sa mga metal contact sa harap ng cell.Ang kabaligtaran ay totoo para sa mga p-type na PV cell, kung saan ang mga electron ay dumadaloy sa mga metal na contact sa harap ng cell at ang mga butas ay dumadaloy sa likod.
Ang isa sa mga pangunahing bentahe ng mga n-type na PV cells ay ang kanilang mas mataas na kahusayan kumpara sa mga p-type na cell.Dahil sa labis na mga electron sa mga n-type na materyales, mas madaling bumuo ng mga pares ng electron-hole kapag sumisipsip ng liwanag na enerhiya.Nagbibigay-daan ito sa mas maraming kasalukuyang mabuo sa loob ng baterya, na nagreresulta sa mas mataas na output ng kuryente.Bilang karagdagan, ang mga n-type na photovoltaic na mga cell ay hindi gaanong madaling kapitan ng pagkasira mula sa mga impurities, na nagreresulta sa mas mahabang buhay at mas maaasahang paggawa ng enerhiya.
Sa kabilang banda, ang mga P-type na photovoltaic cell ay kadalasang pinipili para sa kanilang mas mababang gastos sa materyal.Halimbawa, ang silicon doped na may boron ay mas mura kaysa sa silicon doped na may phosphorus.Ginagawa nitong mas matipid na opsyon ang mga p-type na photovoltaic cell para sa malakihang produksyon ng solar na nangangailangan ng malalaking halaga ng mga materyales.
Sa buod, ang mga n-type at p-type na photovoltaic na mga cell ay may iba't ibang mga de-koryenteng katangian, na ginagawa itong angkop para sa iba't ibang mga aplikasyon sa paggawa ng solar energy.Habang ang mga n-type na cell ay mas mahusay at maaasahan, ang mga p-type na cell ay karaniwang mas matipid.Ang pagpili ng dalawang solar cell na ito ay depende sa mga partikular na pangangailangan ng aplikasyon, kabilang ang nais na kahusayan at magagamit na badyet.
